｜半導体デバイス、表面科学

(1) Si/3C-SiC/ナノダイヤモンド薄膜成長と

　　次世代パワーデバイスの製作

現在、パワーデバイスの基板材料としてSiが主に用いられていますが、自動車の電子化に伴い、性能限界に達してきています。

そこで、次世代パワーデバイスとしてSiCやNCDが注目されています。しかし、SiC基板は非常に高価であるため、コスト低減が求められています。そこで本研究では、安価な Si基板上に、容易かつ安価SiCやNCDを形成できるCVD法を用いて三層構造のデバイスとすることで、高性能なデバイスを低コストで作製することを目標としています

(2) 新しい太陽電池材料と製作プロセス

(3) イオンビーム照射による表面改質

2011年　9月　「ICSCRM 2011」国際学会ポスター発表

　　　　　　6月　「金属学会九州支部」ポスター発表

2010年11月　「応用物理学会九州支部」口頭発表

　　　　　　6月　「金属学会九州支部」ポスター発表